[단독] 삼성, 차세대 '캐시 D램' 개발…패키징에만 2조 투자 고삐
*루켄테크놀러지스는 고대역폭메모리(HBM) 및 캐시D램 수혜주
*캐시D램은 루켄의 HBM 인터포저 및 테스트 소켓 개발 기술력이 반드시 필요함.
[루켄테크놀러지스 전자공시]
루켄테크놀러지스는 5세대 이동통신(5G), 인공지능(AI), 자율주행 등 고성능고용량 메모리인 고대역폭메모리(HBM)
수요도 급증할 것으로 전망했다. 특히, 최근 챗GPT와 같은 AI를 지원하기 위해선 서버에 그래픽처리장치(GPU)와 함께
HBM을 통한 데이터 전송속도 개선이 필수라는 입장이다.
이와 관련, 시장조사업체인 트렌드포스는 현재 HBM 시장 규모는 D램 시장(2022년 817억 달러)의 1.5% 수준이지만
연평균 45% 이상 증가율을 보인다고 전망했다.
루켄테크놀러지스 관계자는 “루켄테크놀러지스는 우리나라, 미국의 반도체 회사와 HBM 인터포저 및 테스트
소켓 개발을 진행 중에 있다”면서 “이 기술은 일반 테스트 소켓에 비해 0.1㎜이하 피치 구현과 높은 주파수 성능,
1개의 소켓에 5000핀 규모 사양으로 고부가가치, 고 기술력 제품을 개발 제공하며 시장을 선점하기 위해 도전 중”
(기 개발완료)이라고 전했다.
[캐시D램 및 고대역폭메모리(HBM)의 상관관계]
캐시 DRAM은 프로세서의 마지막 레벨 캐시와 메인 시스템 메모리 사이의 메모리 계층 구조에 추가 레이어를
추가하는 개념이지만, 메인 메모리로 사용되는 DRAM보다 액세스 속도가 빠르고 지연 시간이 짧은 DRAM 메모리를
통해 구축됩니다.
이를 달성하는 한 가지 방법은 HBM 유형 메모리를 DRAM 캐시로 사용하는 것입니다. DRAM 메모리는 TSV 또는
관통 경로라 고하는 유형의 케이블을 사용하여 서로 다른 메모리 칩을 적층하고 수직으로 연결하는 DRAM 메모리
유형입니다. 그들이 칩을 통과한다는 사실에 의해 실리콘. 이러한 유형의 연결은 3D-NAND 메모리 구성에도 사용됩니다.
연결이 수직이기 때문에 프로세서와 HBM 메모리의 통신을 담당하는 보드 형태의 전자 부품 인 인터 포저가 필요합니다.
두 프로세서, 여부 CPU 또는 GPU가 인터 포저에 장착되어 짧은 거리로 인해 HBM 메모리가 기존 DDR 및
GDDR 메모리보다 지연 시간이 짧은 DRAM 메모리 유형으로 기능할 수 있는 기능을 제공합니다.
HBM 메모리가 캐시처럼 동작하려면 프로세서와 메모리를 통신하는 요소 인 인터 포저가 필요합니다.
이는 캐시 메모리처럼 동작하는 데 필요한 회로를 갖습니다.
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